通過探針掃描樣品，利用臺階高低差原理可計算出樣品臺階的高度差及表面輪廓。主要用于光刻膠、SIO2、SI3N4、金屬薄膜等厚度測量以及介質(zhì)刻蝕深度測量。適用于6inch及以下wafer，chip。

主要技術指標

掃描針頭：

12.5um；

掃描范圍：

50um~55mm；

三種測試輪廓模式可選（hills、valleys、hills and valleys）；

測試精度：

± 0.01um；

最大測試臺階高度：

524um。