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PECVD

Leuven PECVD設(shè)備.jpg


等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,利用強(qiáng)電場(chǎng)使所需的氣體源分子電離產(chǎn)生等離子體,等離子體中含有很多活性很高的化學(xué)基團(tuán),這些基團(tuán)經(jīng)過(guò)經(jīng)一系列化學(xué)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。用于沉積SiO2, SiN 等絕緣體薄膜材料,沉積的薄膜具有均勻性好、精度高、抗應(yīng)力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。


主要技術(shù)指標(biāo):

基片尺寸:

6"及以下wafer、chip;

沉積均勻性:

±3%(6"wafer);

膜厚精度:1nm;


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